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VS-70HFR80M

VS-70HFR80M

Nur als Referenz

Teilenummer VS-70HFR80M
PNEDA Teilenummer VS-70HFR80M
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.960
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-70HFR80M Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-70HFR80M
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-70HFR80M, VS-70HFR80M Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 214,99 KB)
PDFVS-71HFR160M Datenblatt Cover
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VS-70HFR80M Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)70A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.35V @ 220A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-203AB (DO-5)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 180°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

65pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

FR12BR02

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SF18G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-SD1700C30K

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3000V

Current - Average Rectified (Io)

2080A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.81V @ 4000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75mA @ 3000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Clamp On

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AC, K-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

HS3K V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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