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VS-6EVH06HM3/I

VS-6EVH06HM3/I

Nur als Referenz

Teilenummer VS-6EVH06HM3/I
PNEDA Teilenummer VS-6EVH06HM3-I
Beschreibung DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 34.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-6EVH06HM3/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-6EVH06HM3/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-6EVH06HM3/I, VS-6EVH06HM3/I Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 153,05 KB)
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VS-6EVH06HM3/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.1V @ 6A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketSlimDPAK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

18ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

LL101B-7

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

2.2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

SOD-80 MiniMELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

NXPSC20650Q

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

600pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

TVR06D-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

600mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 600mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SS3H9HE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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