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VS-6ESH02-M3/87A

VS-6ESH02-M3/87A

Nur als Referenz

Teilenummer VS-6ESH02-M3/87A
PNEDA Teilenummer VS-6ESH02-M3-87A
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.060
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-6ESH02-M3/87A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-6ESH02-M3/87A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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VS-6ESH02-M3/87A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieFRED Pt®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If940mV @ 6A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)22ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-277, 3-PowerDFN
LieferantengerätepaketTO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/286

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SK106-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

500pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (HSMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

VS-80APS12-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.17V @ 80A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

PMEG4010CEH,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

77pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

BAS29

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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