VS-45EPS12LHM3
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| Teilenummer | VS-45EPS12LHM3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-45EPS12LHM3 |
| Beschreibung | DIODES - TO-247-E3 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.568 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-45EPS12LHM3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-45EPS12LHM3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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VS-45EPS12LHM3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 45A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 45A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 10V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 15A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 12A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 665pF @ 1V, 100kHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/477 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, B Lieferantengerätepaket D-5B Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
