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VS-40L15CTS-M3

VS-40L15CTS-M3

Nur als Referenz

Teilenummer VS-40L15CTS-M3
PNEDA Teilenummer VS-40L15CTS-M3
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.014
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-40L15CTS-M3 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-40L15CTS-M3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
VS-40L15CTS-M3, VS-40L15CTS-M3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 242,1 KB)
PDFVS-40L15CTSTRR-M3 Datenblatt Cover
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VS-40L15CTS-M3 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)15V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If410mV @ 19A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10mA @ 15V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 125°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

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Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.43V @ 300A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6mA @ 1600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

573A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.71V @ 1200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 3600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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