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VS-40EPS12PBF

VS-40EPS12PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-40EPS12PBF
PNEDA Teilenummer VS-40EPS12PBF
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 87.396
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VS-40EPS12PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-40EPS12PBF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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VS-40EPS12PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)40A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 40A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
LieferantengerätepaketTO-247AC Modified
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

RFN5BM2SFHTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SIDC42D60E6X1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

27µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

FFSP2065B-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

866pF @ 1V, 100kHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

XBS504V1AR-G

Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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