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VS-3EGU06WHM3/5BT

VS-3EGU06WHM3/5BT

Nur als Referenz

Teilenummer VS-3EGU06WHM3/5BT
PNEDA Teilenummer VS-3EGU06WHM3-5BT
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.428
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-3EGU06WHM3/5BT Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-3EGU06WHM3/5BT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-3EGU06WHM3/5BT, VS-3EGU06WHM3/5BT Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 131,9 KB)
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VS-3EGU06WHM3/5BT Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, FRED Pt®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.35V @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)65ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr3µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketSMB (DO-214AA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

MSS1P6-E3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

MicroSMP

Lieferantengerätepaket

MicroSMP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4006GR0

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

PMEG3005EH,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

430mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CUDD8-02 TR13

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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