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VS-30EPH03-N3

VS-30EPH03-N3

Nur als Referenz

Teilenummer VS-30EPH03-N3
PNEDA Teilenummer VS-30EPH03-N3
Beschreibung DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-30EPH03-N3 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-30EPH03-N3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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VS-30EPH03-N3 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieFRED Pt®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)38ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr60µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
LieferantengerätepaketTO-247AC Modified
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.07V @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

3000pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

HALF-PAK

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

fSC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

SF2006G C0G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SCS306AHGC9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220ACP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

BAT54XV2T1H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100A

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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