VS-25TTS08-M3
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| Teilenummer | VS-25TTS08-M3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-25TTS08-M3 |
| Beschreibung | SCR 800V 25A TO-220AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-25TTS08-M3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-25TTS08-M3 |
| Kategorie | Halbleiter › Thyristoren › Thyristoren - SCRs |
| Datenblatt |
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VS-25TTS08-M3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Spannung - Aus Zustand | 800V |
| Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 2V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 45mA |
| Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.25V |
| Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 16A |
| Current - On State (It (RMS)) (max.) | 25A |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 150mA |
| Current - Off State (Max) | 500µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 270A @ 50Hz |
| SCR-Typ | Standard Recovery |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Spannung - Aus Zustand 400V Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 800mV Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 200µA Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) 1.7V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 500mA Current - On State (It (RMS)) (max.) 800mA Current - Hold (Ih) (Max) 5mA Current - Off State (Max) 100µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 8A, 9A SCR-Typ Sensitive Gate Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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