VS-25ETS08STRR-M3
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| Teilenummer | VS-25ETS08STRR-M3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-25ETS08STRR-M3 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 25A TO263AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-25ETS08STRR-M3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-25ETS08STRR-M3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-25ETS08STRR-M3, VS-25ETS08STRR-M3 Datenblatt
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VS-25ETS08STRR-M3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 25A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 510mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/429 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 35pF @ 12V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, A Lieferantengerätepaket D-5A Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123W Lieferantengerätepaket SOD123W Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 15mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket VMN2M Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
