VS-15ETL06STRR-M3
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Teilenummer | VS-15ETL06STRR-M3 |
PNEDA Teilenummer | VS-15ETL06STRR-M3 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.700 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-15ETL06STRR-M3 Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | VS-15ETL06STRR-M3 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
VS-15ETL06STRR-M3, VS-15ETL06STRR-M3 Datenblatt
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VS-15ETL06STRR-M3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | FRED Pt® |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 270ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 80pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF Lieferantengerätepaket GL41 (DO-213AB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 160A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 12mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 250mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 1.5pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Lieferantengerätepaket SOD-80 MiniMELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |