VS-123NQ100PBF
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Teilenummer | VS-123NQ100PBF | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | VS-123NQ100PBF | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67 | ||||||||||||||||||
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 1.277 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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VS-123NQ100PBF Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | VS-123NQ100PBF |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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VS-123NQ100PBF Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 120A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 120A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 3mA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | 2650pF @ 5V, 1MHz |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | D-67 HALF-PAK |
Lieferantengerätepaket | D-67 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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