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VS-10ETF04STRRPBF

VS-10ETF04STRRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-10ETF04STRRPBF
PNEDA Teilenummer VS-10ETF04STRRPBF
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-10ETF04STRRPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-10ETF04STRRPBF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-10ETF04STRRPBF, VS-10ETF04STRRPBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 206,72 KB)
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VS-10ETF04STRRPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123W

Lieferantengerätepaket

SOD123W

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

60HFU-300

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

SR105 R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

EM 2AV0

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1.2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

STTH8L06D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

105ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

8µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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