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VRF151G

VRF151G

Nur als Referenz

Teilenummer VRF151G
PNEDA Teilenummer VRF151G
Beschreibung MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.288
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VRF151G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVRF151G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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VRF151G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual) Common Source
Frequenz175MHz
Gewinn16dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)36A
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung300W
Spannung - Nennspannung170V
Paket / Fall4-SMD
LieferantengerätepaketM208

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.3GHz

Gewinn

16.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880X-4L4S-8

Lieferantengerätepaket

NI-880X-4L4S-8

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

16A

Rauschzahl

-

Stromtest

410mA

Leistung - Leistung

13.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

150-102N02A-00

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

DE

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

2A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

1000V

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DE150

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

12.2dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

68mA

Rauschzahl

0.62dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

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