VQ1001P-2
Nur als Referenz
| Teilenummer | VQ1001P-2 |
| PNEDA Teilenummer | VQ1001P-2 |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.994 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
VQ1001P-2 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | VQ1001P-2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- VQ1001P-2 Datasheet
- where to find VQ1001P-2
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix VQ1001P-2
- VQ1001P-2 PDF Datasheet
- VQ1001P-2 Stock
- VQ1001P-2 Pinout
- Datasheet VQ1001P-2
- VQ1001P-2 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- VQ1001P-2 Price
- VQ1001P-2 Distributor
VQ1001P-2 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 830mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 14-DIP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A, 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 15V Leistung - max 800mW, 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x4.5) |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A, 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 15V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PG-TISON-8 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 113mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 4V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1472pF @ 10V Leistung - max 770mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerUDFN Lieferantengerätepaket U-DFN3030-8 |
