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VOS617A-4X001T

VOS617A-4X001T

Nur als Referenz

Teilenummer VOS617A-4X001T
PNEDA Teilenummer VOS617A-4X001T
Beschreibung OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4SSOP
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division
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Auf Lager 27.264
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VOS617A-4X001T Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVOS617A-4X001T
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
VOS617A-4X001T, VOS617A-4X001T Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 149,6 KB)
PDFVOS617A-4T Datenblatt Cover
VOS617A-4T Datenblatt Seite 2 VOS617A-4T Datenblatt Seite 3 VOS617A-4T Datenblatt Seite 4 VOS617A-4T Datenblatt Seite 5 VOS617A-4T Datenblatt Seite 6 VOS617A-4T Datenblatt Seite 7 VOS617A-4T Datenblatt Seite 8 VOS617A-4T Datenblatt Seite 9

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VOS617A-4X001T Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Opto Division
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation3750Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)160% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)320% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)6µs, 4µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)3µs, 3µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.18V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 110°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket4-SSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

-

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

45µs, 45µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

MOSFET

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

6N139#020

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 1.6mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

2600% @ 1.6mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

18V

Strom - Ausgang / Kanal

60mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.4V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

H11AG2W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

80% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.35V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

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