VMO550-01F
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| Teilenummer | VMO550-01F |
| PNEDA Teilenummer | VMO550-01F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.516 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VMO550-01F Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VMO550-01F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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VMO550-01F Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 590A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 110mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2000nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2200W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | Y3-DCB |
| Paket / Fall | Y3-DCB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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