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VMM300-03F

VMM300-03F

Nur als Referenz

Teilenummer VMM300-03F
PNEDA Teilenummer VMM300-03F
Beschreibung MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.814
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VMM300-03F Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVMM300-03F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
VMM300-03F, VMM300-03F Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 41,49 KB)
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VMM300-03F Datenblatt Seite 2

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VMM300-03F Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.290A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 145A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1440nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds40000pF @ 25V
Leistung - max1500W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallY3-DCB
LieferantengerätepaketY3-DCB

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FET-Typ

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20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1485pF @ 16V

Leistung - max

1.52W

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V

Leistung - max

6.5W

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Hersteller

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Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A, 156A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7940pF @ 20V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

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