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VKM40-06P1

VKM40-06P1

Nur als Referenz

Teilenummer VKM40-06P1
PNEDA Teilenummer VKM40-06P1
Beschreibung MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.748
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VKM40-06P1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVKM40-06P1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
VKM40-06P1, VKM40-06P1 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 103,31 KB)
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VKM40-06P1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ4 N-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallECO-PAC2
LieferantengerätepaketECO-PAC2

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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SI7228DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 15V

Leistung - max

23W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

713pF @ 10V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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SI1926DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 30V

Leistung - max

510mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

Leistung - max

4W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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