VI30100SG-E3/4W
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| Teilenummer | VI30100SG-E3/4W |
| PNEDA Teilenummer | VI30100SG-E3-4W |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO262AA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.226 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 4 - Mär 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VI30100SG-E3/4W Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VI30100SG-E3/4W |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VI30100SG-E3/4W, VI30100SG-E3/4W Datenblatt
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VI30100SG-E3/4W Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 350µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-262AA |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. 150pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket ITO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 470mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 1.6ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 4.5pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket SMini2-F5-B Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 40ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 33µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 301pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket PG-TO220-2-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
