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VFT2080S-E3/4W

VFT2080S-E3/4W

Nur als Referenz

Teilenummer VFT2080S-E3/4W
PNEDA Teilenummer VFT2080S-E3-4W
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 20A 80V ITO-220AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VFT2080S-E3/4W Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVFT2080S-E3/4W
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VFT2080S-E3/4W, VFT2080S-E3/4W Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 199,51 KB)
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VFT2080S-E3/4W Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Current - Average Rectified (Io)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If920mV @ 20A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr700µA @ 80V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

160pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123S

Lieferantengerätepaket

SOD-123S

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UF4002 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RFN5BM2STL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

BA157-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

MBRH12060R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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