VF20120SG-E3/45
Nur als Referenz
| Teilenummer | VF20120SG-E3/45 |
| PNEDA Teilenummer | VF20120SG-E3-45 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.202 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VF20120SG-E3/45 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VF20120SG-E3/45 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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VF20120SG-E3/45 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 250µA @ 120V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Lieferantengerätepaket | ITO-220AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 10V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 530mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket Powermite Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 15A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 300µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 550pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 120mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 370mV @ 1mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-76, SOD-323 Lieferantengerätepaket SOD-323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
