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VBO50-12NO7

VBO50-12NO7

Nur als Referenz

Teilenummer VBO50-12NO7
PNEDA Teilenummer VBO50-12NO7
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 1.2KV 50A PWS-A
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.438
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Voraussichtliche Lieferung Mär 29 - Apr 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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VBO50-12NO7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVBO50-12NO7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
VBO50-12NO7, VBO50-12NO7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 142,6 KB)
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VBO50-12NO7 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1.2kV
Current - Average Rectified (Io)50A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.14V @ 40A
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPWS-A
LieferantengerätepaketPWS-A

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

TBSL

DBLS207G RDG

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

DBLS

GBJ5006-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBJ

Lieferantengerätepaket

GBJ

KBPM206G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBPM

Lieferantengerätepaket

KBPM

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.2kV

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 150A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 1200V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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