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VBE100-12NO7

VBE100-12NO7

Nur als Referenz

Teilenummer VBE100-12NO7
PNEDA Teilenummer VBE100-12NO7
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 1.2KV ECO-PAC2
Hersteller IXYS
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VBE100-12NO7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVBE100-12NO7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
VBE100-12NO7, VBE100-12NO7 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 102,05 KB)
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VBE100-12NO7 Datenblatt Seite 2

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VBE100-12NO7 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieFRED
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1.2kV
Current - Average Rectified (Io)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.7V @ 60A
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 1200V
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallECO-PAC2
LieferantengerätepaketECO-PAC2

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Spannung - Peak Reverse (Max)

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4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Single Phase

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBU1007HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

KBL606G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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