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VB20120SG-M3/8W

VB20120SG-M3/8W

Nur als Referenz

Teilenummer VB20120SG-M3/8W
PNEDA Teilenummer VB20120SG-M3-8W
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.300
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VB20120SG-M3/8W Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVB20120SG-M3/8W
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VB20120SG-M3/8W, VB20120SG-M3/8W Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 97,11 KB)
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VB20120SG-M3/8W Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)120V
Current - Average Rectified (Io)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.33V @ 20A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr250µA @ 120V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

65pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SR506HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SF16G-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 40V

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1A2TA

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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-65°C ~ 125°C

1N5822

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/620

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

B, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

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