VB20120C-M3/8W
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| Teilenummer | VB20120C-M3/8W |
| PNEDA Teilenummer | VB20120C-M3-8W |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.634 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VB20120C-M3/8W Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VB20120C-M3/8W |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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VB20120C-M3/8W Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 700µA @ 120V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
