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V8PM10S-M3/I

V8PM10S-M3/I

Nur als Referenz

Teilenummer V8PM10S-M3/I
PNEDA Teilenummer V8PM10S-M3-I
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 48.618
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

V8PM10S-M3/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerV8PM10S-M3/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
V8PM10S-M3/I, V8PM10S-M3/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 90,36 KB)
PDFV8PM10SHM3/I Datenblatt Cover
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V8PM10S-M3/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieeSMP®, TMBS®
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If780mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.860pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-277, 3-PowerDFN
LieferantengerätepaketTO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 175°C

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

670mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

9ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700nA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

220pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123W

Lieferantengerätepaket

CFP3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

AU2PGHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1.6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

42pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.3V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

320ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220 [K]

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RS2GA M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N3646

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1750V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

5V @ 250mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1750V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

S, Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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