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V60170G-M3/4W

V60170G-M3/4W

Nur als Referenz

Teilenummer V60170G-M3/4W
PNEDA Teilenummer V60170G-M3-4W
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $26,7823
100 ---------- $25,5269
250 ---------- $24,2715
500 ---------- $23,0161
750 ---------- $21,9699
1.000 ---------- $20,9237
Auf Lager 3.785
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Voraussichtliche Lieferung Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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V60170G-M3/4W Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerV60170G-M3/4W
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
V60170G-M3/4W, V60170G-M3/4W Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 157,63 KB)
PDFV60170G-M3/4W Datenblatt Cover
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V60170G-M3/4W Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieTMBS®
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)170V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.02V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr450µA @ 170V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 175°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 400A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

530A @ 1800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-227

HER1005G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

SCPND15

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

2.75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

15V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 15000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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