V1PM10-M3/H
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| Teilenummer | V1PM10-M3/H |
| PNEDA Teilenummer | V1PM10-M3-H |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 1A MICROSMP |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 83.364 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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V1PM10-M3/H Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | V1PM10-M3/H |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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V1PM10-M3/H Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 100pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-219AD |
| Lieferantengerätepaket | MicroSMP (DO-219AD) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 175°C |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 16A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3300V Current - Average Rectified (Io) 300mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 300mA Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 3300V Kapazität @ Vr, F. 42pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 12A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 12A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 487pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 135°C |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 35A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SRA Lieferantengerätepaket SRA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
