US1M R3G
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Teilenummer | US1M R3G |
PNEDA Teilenummer | US1M-R3G |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 48.978 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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US1M R3G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | US1M R3G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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US1M R3G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
Lieferantengerätepaket | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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