US1M-E3/61T
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Teilenummer | US1M-E3/61T |
PNEDA Teilenummer | US1M-E3-61T |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
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US1M-E3/61T Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | US1M-E3/61T |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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US1M-E3/61T Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
Lieferantengerätepaket | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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