UPDS5100H
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| Teilenummer | UPDS5100H |
| PNEDA Teilenummer | UPDS5100H |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.658 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UPDS5100H Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UPDS5100H |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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UPDS5100H Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerDI™ 5 |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI™ 5 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie TrenchSBR Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 510mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 60µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 150pF @ 30V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerUDFN Lieferantengerätepaket U-DFN3030-8 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie Military, MIL-PRF-19500/578 & /609 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 90µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall D, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
