UPA2825T1S-E2-AT
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| Teilenummer | UPA2825T1S-E2-AT |
| PNEDA Teilenummer | UPA2825T1S-E2-AT |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 8HVSON |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.058 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UPA2825T1S-E2-AT Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UPA2825T1S-E2-AT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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UPA2825T1S-E2-AT Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 24A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
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