Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

UPA1981TE-T1-A

UPA1981TE-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer UPA1981TE-T1-A
PNEDA Teilenummer UPA1981TE-T1-A
Beschreibung MOSFET
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis
1 ---------- $2,8897
250 ---------- $2,7543
500 ---------- $2,6188
1.000 ---------- $2,4834
2.500 ---------- $2,3705
5.000 ---------- $2,2576
Auf Lager 3.967
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UPA1981TE-T1-A Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA1981TE-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
UPA1981TE-T1-A, UPA1981TE-T1-A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 222,91 KB)
PDFUPA1981TE-T1-A Datenblatt Cover
UPA1981TE-T1-A Datenblatt Seite 2 UPA1981TE-T1-A Datenblatt Seite 3 UPA1981TE-T1-A Datenblatt Seite 4 UPA1981TE-T1-A Datenblatt Seite 5 UPA1981TE-T1-A Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • UPA1981TE-T1-A Datasheet
  • where to find UPA1981TE-T1-A
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America UPA1981TE-T1-A
  • UPA1981TE-T1-A PDF Datasheet
  • UPA1981TE-T1-A Stock

  • UPA1981TE-T1-A Pinout
  • Datasheet UPA1981TE-T1-A
  • UPA1981TE-T1-A Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • UPA1981TE-T1-A Price
  • UPA1981TE-T1-A Distributor

UPA1981TE-T1-A Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ALD114813SCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.26V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

DMN1150UFL3-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 6V

Leistung - max

390mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

X2-DFN1310-6 (Type B)

JANTXV2N7334

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/597

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

MO-036AB

IRF5852TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

53A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

Leistung - max

180W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Kürzlich verkauft

MC68HC908GZ60CFA

MC68HC908GZ60CFA

NXP

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

Abracon

FIXED IND 4.7UH 9A 26.7MOHM

ATSAMS70N20A-CFN

ATSAMS70N20A-CFN

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100VFBGA

AD9745BCPZRL

AD9745BCPZRL

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 72LFCSP

LTM8022EV#PBF

LTM8022EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-10V 1A

NAND256W3A2BZA6E

NAND256W3A2BZA6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

AS5263-HQFM

AS5263-HQFM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

TC4426AEOA

TC4426AEOA

Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC

LT1963AEST-3.3#TRPBF

LT1963AEST-3.3#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917