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UNR521F00L

UNR521F00L

Nur als Referenz

Teilenummer UNR521F00L
PNEDA Teilenummer UNR521F00L
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 250.914
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UNR521F00L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUNR521F00L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
UNR521F00L, UNR521F00L Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 585,08 KB)
PDFUNR521W00L Datenblatt Cover
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UNR521F00L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang150MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSMini3-G1

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

254mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1123

Lieferantengerätepaket

SOT-1123

DDTA123YCA-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

FJNS3208RTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

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