UNR511EG0L
Nur als Referenz
| Teilenummer | UNR511EG0L |
| PNEDA Teilenummer | UNR511EG0L |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UNR511EG0L Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UNR511EG0L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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UNR511EG0L Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 80MHz |
| Leistung - max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-85 |
| Lieferantengerätepaket | SMini3-F2 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
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