UNR211D00L
Nur als Referenz
| Teilenummer | UNR211D00L |
| PNEDA Teilenummer | UNR211D00L |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.456 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UNR211D00L Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UNR211D00L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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UNR211D00L Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 80MHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | Mini3-G1 |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall 3-SSIP Lieferantengerätepaket NS-B1 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SST3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SMT3; MPAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 230mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SC-59-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) - Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
