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UMT2NTR

UMT2NTR

Nur als Referenz

Teilenummer UMT2NTR
PNEDA Teilenummer UMT2NTR
Beschreibung TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 51.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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UMT2NTR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUMT2NTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
UMT2NTR, UMT2NTR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 2.885,37 KB)
PDFEMT2T2R Datenblatt Cover
EMT2T2R Datenblatt Seite 2 EMT2T2R Datenblatt Seite 3 EMT2T2R Datenblatt Seite 4 EMT2T2R Datenblatt Seite 5 EMT2T2R Datenblatt Seite 6 EMT2T2R Datenblatt Seite 7 EMT2T2R Datenblatt Seite 8 EMT2T2R Datenblatt Seite 9

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UMT2NTR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Leistung - max150mW
Frequenz - Übergang140MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketUMT6

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-CDIP

NSVT30010MXV6T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

BC856BDW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

UP0440100L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 10V

Leistung - max

125mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMINI6-F1

BCM856SE6327BTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

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