UMF5NTR
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| Teilenummer | UMF5NTR |
| PNEDA Teilenummer | UMF5NTR |
| Beschreibung | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UMF5NTR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UMF5NTR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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UMF5NTR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA, 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V, 12V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz, 260MHz |
| Leistung - max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | UMT6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 100mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-553 Lieferantengerätepaket ESV |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 125mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SSMini6-F3-B |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 80MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket SMini5-G1 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Widerstand - Basis (R1) - Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang - Leistung - max - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 15V Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA, 100nA Frequenz - Übergang 280MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
