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ULN2002A

ULN2002A

Nur als Referenz

Teilenummer ULN2002A
PNEDA Teilenummer ULN2002A
Beschreibung IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ULN2002A Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerULN2002A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
ULN2002A, ULN2002A Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 723,98 KB)
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ULN2002A Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Transistortyp7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall16-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket16-DIP

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

4 PNP Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 6mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 4V

Leistung - max

4W, 20W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

12-SIP

HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

350 @ 4mA, 2V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SM6

SG2013J-883B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.9V @ 600µA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

900 @ 500mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

16-CDIP

XN0450100L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

MINI6-G1

CEN895

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

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