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UGF10L08GA C0G

UGF10L08GA C0G

Nur als Referenz

Teilenummer UGF10L08GA C0G
PNEDA Teilenummer UGF10L08GA-C0G
Beschreibung DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 2.862
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UGF10L08GA C0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUGF10L08GA C0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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UGF10L08GA C0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
LieferantengerätepaketITO-220AB

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 1000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 70V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Global Power Technologies Group

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-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

6.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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