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UGB8DTHE3/81

UGB8DTHE3/81

Nur als Referenz

Teilenummer UGB8DTHE3/81
PNEDA Teilenummer UGB8DTHE3-81
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.848
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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UGB8DTHE3/81 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUGB8DTHE3/81
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
UGB8DTHE3/81, UGB8DTHE3/81 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 177,54 KB)
PDFUG8DTHE3/45 Datenblatt Cover
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UGB8DTHE3/81 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

875mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RB168VYM-60FHTR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

6.15ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TUMD2M

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

UGB12JTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UGE5JT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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