UGB18DCT-E3/81
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| Teilenummer | UGB18DCT-E3/81 |
| PNEDA Teilenummer | UGB18DCT-E3-81 |
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.758 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UGB18DCT-E3/81 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UGB18DCT-E3/81 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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UGB18DCT-E3/81 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 18A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 9A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-3 |
