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UGB18DCT-E3/45

UGB18DCT-E3/45

Nur als Referenz

Teilenummer UGB18DCT-E3/45
PNEDA Teilenummer UGB18DCT-E3-45
Beschreibung DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $10,9939
100 ---------- $10,4786
250 ---------- $9,9632
500 ---------- $9,4479
750 ---------- $9,0185
1.000 ---------- $8,5890
Auf Lager 50
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UGB18DCT-E3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUGB18DCT-E3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
UGB18DCT-E3/45, UGB18DCT-E3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 158,53 KB)
PDFUG18DCTHE3/45 Datenblatt Cover
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UGB18DCT-E3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)18A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 9A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Powerex Inc.

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

260A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 2400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

780mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

65A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.13V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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