UG8GT-E3/45
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Teilenummer | UG8GT-E3/45 |
PNEDA Teilenummer | UG8GT-E3-45 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.066 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UG8GT-E3/45 Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | UG8GT-E3/45 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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UG8GT-E3/45 Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-2 |
Lieferantengerätepaket | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
IXYS Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.36V @ 55A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
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