UFS515J/TR13
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| Teilenummer | UFS515J/TR13 |
| PNEDA Teilenummer | UFS515J-TR13 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 5A DO214AB |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.254 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UFS515J/TR13 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UFS515J/TR13 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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UFS515J/TR13 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 8500V Current - Average Rectified (Io) 3040A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100mA @ 8500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AE Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 160°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 270A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 3-MAGN-A-PAK™ Lieferantengerätepaket MAGN-A-PAK® Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 30A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 30A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 9µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SMT3; MPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
