UES1002
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| Teilenummer | UES1002 |
| PNEDA Teilenummer | UES1002 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.276 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UES1002 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UES1002 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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UES1002 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | A, Axial |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
