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UCC21222DR

UCC21222DR

Nur als Referenz

Teilenummer UCC21222DR
PNEDA Teilenummer UCC21222DR
Beschreibung 4A/6A 2KVRMS DUAL CH ISO DR 8V
Hersteller Texas Instruments
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Auf Lager 5.238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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UCC21222DR Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUCC21222DR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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UCC21222DR Technische Daten

Hersteller
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung3V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH1.25V, 1.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4A, 6A
EingabetypCMOS/TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)5ns, 6ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

ISL2111BR4Z

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

1.4V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9ns, 7.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (4x4)

IRS21531DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 15.4V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

180mA, 260mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

120ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

IRS44262SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

11.2V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.3A, 3.3A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MAX4426C/D

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

-

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

-

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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