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UC2715NG4

UC2715NG4

Nur als Referenz

Teilenummer UC2715NG4
PNEDA Teilenummer UC2715NG4
Beschreibung IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-DIP
Hersteller Texas Instruments
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UC2715NG4 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUC2715NG4
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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UC2715NG4 Technische Daten

Hersteller
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung7V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)500mA, 1A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)30ns, 25ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 7V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

42V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

17ns, 10ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

LM5101ASDX

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

430ns, 260ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

IRS26320JPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

12V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

44-PLCC

AUIRS21811S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.9A, 2.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

60ns, 35ns (Max)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HIP4080AIBZT

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9.5V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.6A, 2.4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

95V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SOIC

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