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TZ800N12KOFHPSA3

TZ800N12KOFHPSA3

Nur als Referenz

Teilenummer TZ800N12KOFHPSA3
PNEDA Teilenummer TZ800N12KOFHPSA3
Beschreibung SCR MODULE 1.2KV 1500A MODULE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TZ800N12KOFHPSA3 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTZ800N12KOFHPSA3
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
TZ800N12KOFHPSA3, TZ800N12KOFHPSA3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 422,68 KB)
PDFTZ800N18KOFHPSA3 Datenblatt Cover
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TZ800N12KOFHPSA3 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)819A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1500A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)250mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)35000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)500mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 4 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

36A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

65mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

320A, 350A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

V1A-PAK

T720083504DN

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

350A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AC, B-PUK

VSKH170-04

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

170A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

377A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5100A, 5350A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

T880N12TOFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

880A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1750A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

17500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Independent - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

105A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

180A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2250A, 2400A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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MAX253CSA+T

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